InGaAsフォトダイオードセラミックアッセンブリ

メーカー名非公開: OSI optoelectronics

特徴

・0.6%以下の低反射率
・低ノイズ
・高速対応
・波長レンジ：900nm～1700nm

応用

・波長ロック／波長モニター
・レーザーバックファセットモニタリング
・DWDM・各種計装

osi_InGaAs-Broadband-AntiReflective-Coated_001

OSIオプトエレｌクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。
通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。

ブロードバンド ARコート InGaAs フォトダイオード

仕様

モデル名	アクティブエリア	応答性1310nm	応答性1550nm	キャパシタンス	ダークカレント	最大逆電圧	最大逆電流	最大順電流
FCI-InGaAs-WCER-LR	—	0.85 A/W	0.90 A/W	15 pF Vr=5.0V	1 nA Vr=5.0V	20 V	2 mA	5 mA

メーカー製品カタログ

70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブエリアサイズのFCI-InGaAs-XXX-WCERは、金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。

高速 InGaAs フォトダイオード on セラミックサブマウント

仕様

モデル名	アクティブエリア	応答性1310nm	応答性1550nm	ダークカレント	キャパシタンス	ライズタイム	逆電圧	パッケージ
FCI-InGaAS-75WCER	75μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.03 nA Vr=5.0V	0.65 pF Vr=5.0V	0.2 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-120WCER	120μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.05 nA Vr=5.0V	1 pF Vr=5.0V	0.3 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-300WCER	300μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.3 nA Vr=5.0V	10 pF Vr=5.0V	1.5 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-400WCER	400μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.4 nA Vr=5.0V	14 pF Vr=5.0V	3 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-500WCER	500μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.5 nA Vr=5.0V	20 pF Vr=5.0V	10 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-WCER

メーカー製品カタログ

FCI-InGaAs-XXX-WCERは、アクティブサイズ70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmの金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。

角度付きセラミックサブマウントにマウントされた高速InGaAsフォトダイオード

仕様

モデル名	アクティブエリア	応答性1310nm	応答性1550nm	ダークカレント	キャパシタンス	ライズタイム	逆電圧	パッケージ
FCI-InGaAS-75ACER	75μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.03 nA Vr=5.0V	0.65 pF Vr=5.0V	0.2 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-120ACER	120μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.05 nA Vr=5.0V	1 pF Vr=5.0V	0.3 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-300ACER	300μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.3 nA Vr=5.0V	10 pF Vr=5.0V	1.5 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-400ACER	400μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.4 nA Vr=5.0V	14 pF Vr=5.0V	3 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-500ACER	500μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.5 nA Vr=5.0V	20 pF Vr=5.0V	10 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-ACER

メーカー製品カタログ

osi_InGaAs-Highspeed-Leaded-Ceramic-Package_001

FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。

リードセラミックパッケージの高速InGaAsフォトダイオード

仕様

モデル名	アクティブエリア	応答性1310nm	応答性1550nm	ダークカレント	キャパシタンス	ライズタイム	逆電圧	パッケージ
FCI-InGaAS-75LCER	75μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.03 nA Vr=5.0V	0.65 pF Vr=5.0V	ー	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-120LCER	120μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.05 nA Vr=5.0V	1 pF Vr=5.0V	0.3 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-300LCER	300μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.3 nA Vr=5.0V	10 pF Vr=5.0V	1.5 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-400LCER	400μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.4 nA Vr=5.0V	14 pF Vr=5.0V	3 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-500LCER	500μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.5 nA Vr=5.0V	20 pF Vr=5.0V	10 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-LCER

メーカー製品カタログ

osi_InGaAs-Highspeed-Cavity-Ceramic-Package_002

FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガラス窓ガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。

キャビティセラミックパッケージ上に高速InGaAsフォトダイオード

仕様

モデル名	アクティブエリア	応答性1310nm	応答性1550nm	ダークカレント	キャパシタンス	ライズタイム	逆電圧	パッケージ
FCI-InGaAS-75CCER	75μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.03 nA Vr=5.0V	0.65 pF Vr=5.0V	0.2 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-120CCER	120μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.05 nA Vr=5.0V	1 pF Vr=5.0V	0.3 ns Vr=5.0V	20 V max	FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-300CCER	300μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.3 nA Vr=5.0V	10 pF Vr=5.0V	1.5 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-400CCER	400μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.4 nA Vr=5.0V	14 pF Vr=5.0V	3 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-500CCER	500μm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.5 nA Vr=5.0V	20 pF Vr=5.0V	10 ns Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAS-XXX-CCER

メーカー製品カタログ

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