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Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)

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メーカー名LD-PD INC

逆バイアス条件下で動作するシリコンPINフォトダイオードです。
ピーク波長は約940nmで、スペクトル検出範囲は400nmから1100nmです。

*丸形φ0.2~φ8.0mm

パラメータ シンボル 試験条件 Typical値
ディテクタサイズ(mm)     φ0.2 φ0.5 φ1 φ2 φ4 φ5 φ8
応答波長範囲(nm) λ   400 – 1100
応答性(A/W) Re

VR=15V
λ=900nm

0.40 0.45 0.5 0.5 0.5 0.5 0.55
応答時間(nS) tr

VR=15V
RL=50Ω

2 5 6 8 15 15 25
                   
暗電流(nA) ID VR=15V 1 2 3 5 12 40 60
逆電圧(V) VB IR=10μA 100
静電容量(pF) Cj

f=1MHz
VR=15V

0.8 1.2 2.0 6 20 30 70
動作電圧(V) VR   0~15
ソケット     Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8
飽和光パワー:0.3w/cm2

 

*角型0.5×0.5~3x3mm

パラメータ シンボル 試験条件 Typical値
ディテクタサイズ(mm)     0.5×0.5 1×1 1.3×1.3 2×2 3×3
応答波長範囲(nm) λ   400 – 1100
応答性(A/W) Re

VR=15V
λ=900nm

0.45 0.45 0.5 0.5 0.5
応答時間(nS) tr

VR=15V
RL=50Ω

3.5 5 8 10 15
               
暗電流(nA) ID VR=15V 3 3 4 6 10
逆電圧(V) VB IR=10μA 80
静電容量(pF) Cj

f=1MHz
VR=15V

6.0 3.0 3.0 10 25
動作電圧(V) VR   0~15
ソケット     Coaxial/TO-46/TO-5
飽和光パワー:0.3w/cm2

 

 

*寸法とピン配置

ポイント

  • 逆バイアス状況下で駆動
  • 大口径、四角形も標準ラインナップ

◀︎表は横にスクロールして見ることができます▶︎

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メーカー紹介LD-PD INC

LD-PD社はLD(半導体レーザ)とPD(フォトダイオード)、および関連ドライバ製品のサプライヤです。
ウエハの製造~ファブリケーション~パッキング~試験まで一貫して自社で行っており、製品群はSM,MM LD(ファイバカップル式を含む)、LDバースタック、VCSEL、SLDなど、波長400nm~2400nmの標準ラインナップにて多岐にわたります。
なお、LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、
Telcordia試験要件(TA-NWT-00093)およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。

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