４分割InGaAsフォトダイオード InGaAS Quadrant PD
メーカー名非公開: GPD Optoelectronics
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ ビームアライメント
◆ レーザー誘導
◆ 光ピンセット
◆ ビームプロファイル
仕様
GAP500Q |
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|---|---|---|---|---|---|
有効表面径(mm) |
0.5 | 1 | 1.5 | 2 | 3 |
分割面(mm2) |
0.0423 | 0.184 | 0.423 | 0.76 | 1.73 |
素子ギャップ(mm) |
0.02 | 0.02 | 0.02 | 0.03 | 0.03 |
|
2/5 | 2/5 | 2/5 | 2/5 | 2/5 |
|
800~1700 | 800~1700 | 800~1700 | 800~1700 | 800~1700 |
ピーク波長(nm) |
1600 | 1600 | 1600 | 1600 | 1600 |
カットオフ波長(nm)50% |
1650 | 1650 | 1650 | 1650 | 1650 |
感度(A/W)@λPEAK min/typ |
0.9/0.95 | 0.9/0.95 | 0.9/0.95 | 0.9/0.95 | 0.9/0.95 |
暗電流(nA)@5V typ/max |
0.1/2 | 0.6/6 | 1/12 | 2/22@2V | 5/50@2V |
シャント抵抗(MΩ）min/typ |
390/781 | 88/176 | 40/80 | 23/46 | 10/20 |
NEP(fW/Hz1/2)@λPEAK |
7 | 14 | 21 | 28 | 42 |
接合容量(pF)@0V |
4/7 | 19/31 | 41/68 | 72/121 | 165/275 |
接合容量(pF)@5V |
4/6 | 8/10 | 17/22 | 31/39@2V | 70/90@2V |
立上／立下時間(ns)@5V typ |
0.4 | 1 | 2 | 4 | 8 |
パッケージ |
TO46 | TO46 | TO46 | TO5 | TO5 |
保存温度 |
-40~70 | -40~70 | -40~70 | -40~70 | -40~70 |
動作温度 |
-40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 |
逆電流(mA) |
1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
順電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
ポイント
- 波長レンジ：800nm~1700nm
- 有効径：0.5/1.0/1.5/2.0/3.0mm
- 高感度
- 高シャント抵抗
- 低暗電流
- 高セグメント帯域幅向け低容量
- 標準パッケージ：TO-5,TO-18
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