高速InGaAsフォトダイオード High Speed InGaAs PD
メーカー名非公開: GPD Optoelectronics
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクターの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ 光通信
◆ 時間分解蛍光測定
◆ LED/LD時間特性測定
◆ レーザー受光及びレンジファインダ(LADAR)
◆ 光測定及び距離測定(LIDAR)
◆ 自由空間光学系(FSO)
仕様
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0.10(0.20) | 0.10(0.20) | 0.10(0.20) | 0.10(0.20) |
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0.80(0.90) | 0.80(0.90) | 0.80(0.90) | 0.80(0.90) |
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0.95 | 0.95 | 0.95 | 0.95 |
暗電流(nA max. (typ.)@5V |
0.8(0.3) | 0.8(0.3) |
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容量(pF max.(typ.) @5V |
0.7(0.5)/0.5(0.3)-CS | 0.8(0.6) | 1.2(1.0) | 8.0(4.0) |
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0.06/0/03-CS |
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NEP(W/√Hz typ.) @1550nm |
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パッケージタイプ（標準） |
TO-46(改造） /CS-1 |
TO-46 (改造） |
TO-46 (改造） |
TO-46 (改造） |
保存温度（℃） |
-40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 |
動作温度（℃） |
-40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 |
逆電圧(V) |
25 | 25 | 25 | 25 |
逆電流(mA) |
1 | 10 | 10 | 25 |
順電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 100 |
ポイント
- 小口径：60μm～300μm
- カットオフ波長：1.7μm
- 高感度向け低暗電流
- 高速向け低容量(2.5GHz)
- パッケージ：ファイバピグテイル、高信頼性ファイバピグテｰル 付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
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