ゲルマニウムアバランシェフォトダイオード Ge APD
メーカー名非公開: GPD Optoelectronics
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ 光パルス試験機（OTDR）
◆ 光通信
◆ フォトカウンティング
仕様
GAV40 |
|
|---|---|
量子効率（ピーク） |
72(80) % min.(typ.) |
応答性@1300nm |
0.76(0.84) A/W min.(typ.) M=1 |
ブレークダウン電圧 (IR=100μA) |
20/30/40 V min./typ./mazx. |
暗電流 @0.9Vb |
0.2(0.10) μA max. (typ.) |
|
1.0(0.8) pF max. (typ.) |
乗算暗電流 |
12 typ. M=1 |
カットオフ周波数(-3dB) |
1.5(2.0) GHz min. (typ.) |
過剰雑音指数 |
0.95 BW=1MHz M=10 Iph=2μA typ. |
過剰雑音要因 |
9 @1300nm, f=300MHz typ. |
Vb の温度係数 |
0.1%/℃ |
有効径 |
40μm |
パッケージ |
TO-46(改造）, TO-46 SMとMMピグテイル、アクティブマウントとセラミック基板 |
保管温度 |
-40~85℃ |
動作温度 |
-10~60℃ |
逆電流 |
0.4mA |
順方向電流 |
80mA |
ポイント
- 小口径：40μm
- 波長感度域：800nm~1800nm
- リニア及びガイガーモード動作
- 高感度
- 高信頼性ファイバピグテール（シングル又はマルチモード）
- 電子冷却可能
- 各種パッケージ：TO-46, サブマウント
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