フェムトワットフォトレシーバ (FWPRシリーズ)
メーカー名Femto Messtechnik GmbH
FWPR-20は、低ノイズな Si または InGaAs フォトダイオードと、非常にゲインが高く（最高 1012 V/A）低ノイズなトランスインピーダンスアンプと組合わせたフォトレシーバーです。これにより、非常に低い NEP 値（最小 0.7 fW/√Hz）と、フェムトワットレンジの高い感度を達成しています。フォトレシーバ単体での検出では光パワー最小約 50 fW まで、さらに Femto 社製 ロックインアンプ を組合わせればサブフェムトワットの高い感度が得られます。 非常に高感度なので、多くのアプリケーションで使用されている APD、PMT、冷却 Ge フォトダイオードの代替品として、高価な高電圧電源や冷却装置を付加することなく利用できます。
Si 製モデルの FWPR-20-SI は、波長域 320～1100 nm です。特にシグナルが数十 ms 以上のフォトンカウンタのように、タイミングがさほど重要視されないアプリケーションに有効で、APD ベースの単一光子カウンティングモジュールと同等の高い量子効果と S/N 比が得られます。
InGaAs 製モデルの FWPR-20-IN の波長域は 900?1700 nm で、高価で取扱いが困難な外部アンプ付液体窒素冷却 Ge ディテクタベースシステムの置き換えに便利です。低ノイズでゲインの高いアンプシグナルが内蔵されているため、フォトレシーバ単体でボルト（V）レンジの シグナルを得ることができます。
仕様
| モデル名 | FWPR-20-Si | FWPR-20-IN |
|---|---|---|
| フォトダイオード | 1.1 x 1.1 mm2 Si | φ0.5mm InGaAsピン |
| 波長範囲 | 320 ~ 1100nm | 900-1700nm |
| バンド幅(-3dB) | DC ~ 20Hz | DC ~ 20Hz |
| 立ち上がり / 立ち下がり時間(10 – 90%) | 18ms | 18ms |
| トランスインピーダンスゲイン | 1 x 1012V/A | 1 x 1011 V/A |
| 最大変換ゲイン | 0.6 x 1012V/W(@ 960nm) | 0.95 x 1011V/W(@ 1550nm) |
| 最小NEP(@ 1Hz) | 0.7fW/√Hz(@ 960nm) | 7.5fW/√Hz(@ 1550nm) |
| カタログ | femto-de-fwpr-20-si | femto-de-fwpr-20-in |
用途
- ・蛍光測定
- ・分光
- ・電気泳動
- ・クロマトグラフィー
- ・フォトマルチプライアチューブ(PMT), アバランシェフォトダイオード(APD),
- 液体窒素冷却 Ge 製 フォトダイオードの置換え
ポイント
- 超低ノイズ : 最小 NEP 0.7 fW/√Hz
- トランスインピーダンスアンプ(最大ゲイン1012)内蔵
- 波長範囲 : 320 - 1700 nm
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