Nd: YVO4 レーザー結晶
用途
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Concentration Tolerance (atm%) | 0.5%, 1.1%, 2.0%, 3.0% |
Orientation | A-cut or C-cut |
Parallelism | 20〞 |
Perpendicularity | 5〞 |
Surface Quality | 10/5 Scratch/Dig per MIL-O-13830 B |
Wavefront Distortion | <λ/8 @633nm |
Surface Flatness | λ/10@ 633 nm |
Clear Aperture | >90% |
Chamfer | ≤0.2mm@450 |
Dimension Tolerance | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.2/-0.1mm) (L<2.5mm) |
(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm) | |
Angle Tolerance | ≤0.5° |
Damage Threshold[GW/cm2 ] | >1 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10Hz (AR-coated) |
Coatings | HR@1064nm+532nm+HT@808nm/AR@1064nm+532nm |
Crystal Structure | Zircon Tetragonal, space group D4h-I4/amd |
Lattice Constants | a=b=7.12, c=6.29 |
Density | 4.22g/cm3 |
Melting Point | 1825 |
Thermal Conductivity /(W·m-1·K-1@25°C) | 5.2 |
Thermal Optical Coefficient(dn/dT) | dno/dT=8.5×10-6/K; dne/dT=2.9×10-6/K |
Thermal Expansion /(10-6·K-1@25°C ) | a = 4.43, c= 11.4 |
Hardness (Mohs) | 4~5 |
Laser Wavelength | 1064nm, 1342nm |
Polarized Laser Emission | π polarization; parallel to optic axis (c-axis) |
Pump Wavelength | 808nm |
Intrinsic Loss | 0.02cm-1 @1064nm |
Diode Pumped Optical to Optical Efficiency | >60% |
Emission Cross Section | 25×10-19cm2@1064nm |
Fluorescence Lifetime | 90 μs (about 50 μs for 2 atm% Nd doped) @ 808 nm |
Gain Bandwidth | 0.96nm @1064nm |
Refractive Index | 1.9573(no); 2.1652(ne) @1064nm |
1.9721(no); 2.1858(ne) @808nm | |
2.0210(no); 2.2560(ne) @532nm | |
Absorption Coefficient | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
Absorption Length | 0.32 mm @ 808 nm |
Gain Bandwidth | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
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メーカー紹介Crylink
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