◆ラージモードフィールド径
◆高非線形効果
◆ピュアシリカ製

◆ピュアシリカ製
◆低伝送損失 (<2.0dB/km)

◆LC・MPOコネクタ式を標準ラインナップ

◆結合部をメタルチューブで保護。
◆超低クロストーク (≤ -40dB)
◆低挿入損失 (≤2.0dB)
◆FC/SC/LC/MPO/ベアなど各種コネクタに対応

◆sever-core structure & F-doped cladding技術により、低クロストークを達成
◆長距離SDM通信に対応できるマルチコアファイバ
◆次世代大容量光通信システムの他、
◆センサ、メディカル用途などのアプリケーションを想定したカスタムにも対応

◆G.652 C-bandのスロープを100%補償
◆Telcordia GR2854-CORE / GR21221-CORE準拠
◆低IL/PMD
◆小型

◆1450/1550/1650nmにて低減衰
◆C-band帯で広い帯域幅
◆高い温度特性(-40～+150℃オプション)
◆優れた曲げ耐性

◆200nm～670nm
◆紫外光伝送用に特化した仕様
◆コアにピュアシリカを使用し、安定した伝送特性を担保
◆コアへの高いOH含有量

◆カットオフ波長(nm)：570±50 / 720±50
◆優れた同芯度・均一性

◆コア径：40μm～800μm
◆NA0.10～0.34
◆高カップリング効率

◆高複屈折シングルモード光ファイバ
◆安定した出射偏波、低減衰

◆1310/150nm用に最適化された耐放射線シングルモードファイバ
◆耐放射能性能：≤15, Total dose :200kGy, dose rate: 0.5Gy/s（25°C）
（TIA/EIA 455-64準拠)

◆耐放射能性能：≤15, Total dose :250kGy, dose rate: 1Gy/s（25°C）
（TIA/EIA 455-64準拠)

◆高複屈折、低減衰、±1.0μmの公差を実現
◆ダブルUVコーティング構造により広い温度範囲で高い安定性を発揮
◆ファイバジャイロや偏波依存性が高いデバイス用としても最適
◆PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition)プロセスによる製造

◆より厳密なジオメトリ設計
◆優れた曲げ半径
◆引っ張り試験：200kpsi
◆ITU-T G.657/IEC60973-2-50準拠

◆ISO/IEC11801, IEC60793-2-10準拠
◆1&10&40&100&400Gb/sアプリケーションに対応

◆1550nm用に最適化された減衰および分散特性
◆低減衰、低分散、ゼロ分散スロープ
◆DWDMシステムで優れた性能を発揮
◆ITU-T G.655.C/D 、IEC-60793-2-50 B4.c/d 推奨以上の仕様

◆300℃までの温度環境下にて使用することができる高温耐性ファイバ
◆ハイパワーレーザの伝送、高温環境下センサー用途などにも最適

◆ラージコア：200μm～1000μm
◆高環境耐性

◆長距離・高ビットレート伝送用に最適化された波長分散、減衰、有効径、PMD値
◆ITU-T G.655/G.656 / IEC 60793-2-50 B4.e/B5に準拠した設計

◆高曲げ耐性GI50マルチモードファイバ
◆ISO/IEC 11801-1 OM2/IEC 60793-2-10 A1-OM2/TIA-492AAAF A1-OM2に準拠

◆高耐曲げ性能GI62.5ファイバ
◆ISO/IEC11801 OM1/ IEC60793-2-10 typeA1a.1/ TIA/EIA-492AAAB-A準拠

◆コア径：50μm～1000μm
◆NA0.10～0.34
◆高カップリング効率

◆イットリビウムドープファイバ(YDF)接続用に最適化されたパッシブファイバ
◆ファイバレーザ発振、材料加工
◆既存品からのコストダウンにも最適

◆最大減衰量 0.17dB/km @1550nm
◆ﾋﾟｭｱｼﾘｶﾃｸﾉﾛｼﾞーにより、一般的なG.652.Dファイバより15%低い減衰量を達成
◆100G, 400G用システム用に最適
◆高品質と低価格を両立

◆YOFC独自のPCVDプロセスにより精度の高いindex-profileを実現

◆長距離通信用に最適化されたファイバ
◆通常のSMFより有効径を拡張することにより、C,L-bandで両方で低減衰を達成
◆ITU-T G.654.B/E、IEC 60793-2-50 B1.2 推奨以上の仕様

◆UV94V-0難燃性試験に適合
◆バッファーの色を指定可能
◆動作温度範囲： -55 ～ +150℃

◆UV94V-0難燃性試験に適合
◆バッファーの色を指定可能
◆LCP,TPEE,PFA,PEEK,PA等のバッファーも対応可能
◆動作温度範囲： -55 ～ +150℃

◆ｴﾙﾋﾞｳﾑとｱﾙﾐﾆｳﾑの共添加技術による最適化
◆≤35nm増幅半値全幅、フラットな利得、高変換効率
◆C/L帯用アンプの全仕様条件を満たす、高品質なエルビウムドープファイバ

◆ITU-T G.652.D / G.657.A1 / GおよびIEC 60793-2-50 type B1.3準拠
◆O-E-S-C-L帯(1260-1625nm)用 曲げフリーシングルモードファイバ

◆C/Lバンド帯で80-120%分散スロープ補償
◆低IL、低PMD
◆DWDM,SDH,CATV等で世界的に高い使用実績

◆ブリルアン散乱を用いた温度・歪センシングシステム用ファイバ

◆曲げ半径：≤5mm
◆低曲げ損失・強引張強度

◆ファイバーコア内にイッテルビウム(Yb)をドープしたダブルクラッドファイバ
◆1um帯ファイバアンプ、ファイバレーザ用途

◆ファイバークラッド内にエアホールまたはドープ素材の超微細周期構造を形成したファイバ

◆非線形現象を用いたアプリケーションに応用できる高非線形ファイバ

◆標準クラッド径：φ125μm、φ250μm
◆ソリッドシリカクラッド製コアレスファイバ
◆カスタムサイズの対応も可

◆ゼロ分散波長：≤1305nm
◆ゼロ分散スロープ：≤0.090[ps/(nm2∙km)]
◆MFD：8.7～9.5μm@1310nm