大口径InGaAsフォトダイオード Large Area InGaAs PD
メーカー名非公開: GPD Optoelectronics
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ 近赤外センシング／放射測定
◆ LED/LD特性測定
◆ 医療診断用
◆ 分光器
◆ ラマン分光
◆ 天文／側光
仕様
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2.0 |
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0.10 (0.20) |
0.10 (0.20) |
0.10 (0.20) |
0.10 (0.20) |
0.10 (0.20) |
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0.80 (0.90) |
0.80 (0.90) |
0.80 (0.90) |
0.80 (0.90) |
0.80 (0.90) |
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0.9 (0.95) |
0.9 (0.95) |
0.9 (0.95) |
0.9 (0.95) |
0.9 (0.95) |
暗電流(nA)max.(typ.) |
30 (6)@5V |
100 (25)@5V |
200 (50)@1V |
500 (200)@1V |
10μA (5μA)@0.3V |
CJ@0V pFmax.(typ.) |
40 (20) |
120 (80) |
500 (300) |
1000 (600) |
1500 (1800) |
CJ@-5V pFmax.(typ.) |
?10 (8) |
50 (30) |
150 (100)@3V |
?300 (250)@2V |
900 (750)@1V |
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400(5V) | 100(5V) | 30(3V) | 12(2V) | 4.0(1V) |
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1.0(5V) | 3.0(5V) | 10(3V) | 30(2V) | 90(1V) |
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50 (125) |
20 (50) |
5 (30) |
2.0 (8) |
1.0 (1.5) |
NEP(pW/√Hz min.)@1550nm |
0.02 | 0.03 | 0.06 | 0.10 | 0.14 |
リニアレンジ（±0.2dB)dBm |
8.0(5V) | 8.0 | 6.0 | 6.0 | 6.0 |
パッケージタイプ（標準） |
TO-46 (改造） |
TO-46 (改造） |
TO-5 | TO-5 | TO-8 |
保存温度（℃） |
-40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 |
動作温度（℃） |
-40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 |
逆電圧(V) |
20 | 20 | 3 | 2 | 2 |
逆電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
順電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
電力損失(mW) |
100 | 100 | 50 | 50 | 50 |
ポイント
- 有口径：0.5mm~5mm
- カットオフ波長：1.7μm
- 高感度用シャント抵抗
- 各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ
- 光学フィルタ：濃度及びバンドパスフィルタ
- パッケージ：TO-46, TO-18, TO-5, TO-8
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