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InGaAs VIS/NIR フォトダイオード InGaAs VIS/NIR PD

  • InGaAs VIS/NIR フォトダイオード InGaAs VIS/NIR PD
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メーカー名非公開: GPD Optoelectronics

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。

応用
◆ 光通信
◆ ライダー/レーダー
◆ OTDR(距離計測)
◆ 高感度測光
◆ 放射分析

ポイント

  • 有口径:0.3mm~5mm
  • 波長:0.5-1.7μm
  • リニアオペレーション
  • 低暗電流,高感度
  • ファイバーピッグテール(シングルモード・マルチモード)
  • パッケージ:TO-46, TO-18, TO-5, TO-8

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メーカー紹介非公開: GPD Optoelectronics

米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。

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