近赤外広帯域InGaAsフォトダイオード Extended InGaAs PD
メーカー名非公開: GPD Optoelectronics
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ ガスセンシングモニター
◆ 炭化水素センサー
◆ 炎／スパーク検出
◆ FTIR
◆ 分光
仕様
2.05μm近赤外InGaAsフォトダイオード 一覧
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1.0 |
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1.8±0.1 | 1.8±0.1 | 1.8±0.1 | 1.8±0.1 | 1.8±0.1 |
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2.05±0.1 | 2.05±0.1 | 2.05±0.1 | 2.05±0.1 | 2.05±0.1 |
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0.9 (1.0) |
0.9 (1.0) |
0.9 (1.0) |
0.9 (1.0) |
0.95 (1.1) |
シャント抵抗(Ω）min. (typ.) |
2M (5M) |
1M (2.5M) |
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15K (20K) |
暗電流(μA) max. |
0.5@1V | 1@1V | 4@1V | 10 | 12@0.5V |
容量(pF) typ.@0V |
80 | 250 | 500 | 1600 | 4000 |
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12.7 |
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2 | 0.8 |
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9 |
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176 | 440 |
NEP(W/Hz1/2 )@λPEAK typ. |
5.7X10-14 | 8.1X10-14 | 23.4X10-14 | 24.8X10-14 | 90.7X10-14 |
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6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
パッケージタイプ（標準） |
TO-46 | TO-46 | TO-46 | TO-5 | TO-5 |
保存温度（℃） |
-40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 |
動作温度（℃） |
-40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 | -40~85 |
逆電圧(V) |
2 | 2 | 2 | 2 | 1 |
逆電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
順電流(mA) |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
電力損失(mW) |
50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
ポイント
- 有口径：0.3mm~3mm
- カットオフ波長：1.9μm, 2.05μm,2.2μm,2.6μm,
- 高シャント抵抗
- 各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ
- パッケージ：TO-46, TO-18, TO-5
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