GaAsフォトダイオード
メーカー名非公開: OSI optoelectronics
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。一般的に400から850nmに感度があります。
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フォトダイオードアレイ
仕様
モデル名 |
アクティブエリア |
応答性 |
キャパシタンス |
ダークカレント |
最大逆電圧 |
最大フォワードカレント |
バンド幅 |
ブレイクダウン電圧 |
パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCI-GaAS-4M |
70um | 0.63 A/W 850nm |
0.65 pF | 0.03 nA | 20 V max | 5 mA | 2 GHz 850 nm |
50 V | FCI-GaAS-4M |
FCI-GaAS-12M |
70um | 0.63 A/W 850nm |
0.65 pF | 0.03 nA | 20 V max | 5 mA | 2 GHz 850 nm |
50 V | FCI-GaAS-12M |
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FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズは、アクティブエリアサイズ100μmの高範囲トランスインピーダンスアンプを備えたコンパクト高速GaAsフォトディテクタです。 |
ダイオード アンプハイブリッド
仕様
モデル名 |
アクティブエリア |
提供電圧 |
提供電流 |
オペレーティング波長 |
応答性 |
トランスインピーダンス |
感度 |
バンド幅 |
低周波数カットオフ |
差動出力 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCI-H125G-GaAs-100 |
100μm | +3 to +5.5 V |
26 mA 0 to +70°C |
650-860 nm |
1700 V/M -17dBm |
2800 Ω -17dBm |
-26 dBm BER 10-10 PRBS27-1 |
900 MHz -3dB |
45 kHz -3dB |
250 mV p-p -3dBm |
FCI-H250G-GaAs-100 |
100μm | +3 to +5.5 V |
35 mA 0 to +70°C |
650-860 nm |
1650 V/M -17dBm |
2800 Ω -17dBm |
-22 dBm BER 10-10 PRBS27-1 |
1700 MHz -3dB |
30 kHz -3dB |
400 mV p-p -3dBm |
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